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Integrated Circuit
RF/Radio
RFFETMOSFET
BSS123-TP
BSS123-TP
产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:
MCC(美微科)
型号:
BSS123-TP
编号:
C002168436
封装:
SOT-23
海关编码:
EAR99
参数描述:
表面贴装型 N 通道 100V 170mA 350mW SOT-23
数据手册:
数据手册
规格
Category
RFFETMOSFET
Continuous drain current
0.17A
Termination type
SMD/SMT
Operating Temperature Range
-55℃~150℃
Transistor polarity
MOSFET
VDS
100V
Pd-Power Dissipation
0.35W
Qg
1.4 nC
Circuit Branch Number
1Channel
VGS
10V
Rds On
6Ω
Package
SOT-23-3
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
6Ω@170mA,10V
功率(Pd)
350mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)
2.8V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)
2nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)
60pF@25V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
3000+
0.07868
数量(递增量:3000):
库存:
264,000
+
-