STGW60H65FB

C000003987 STGW60H65FB 由 ST(意法半导体) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000003987 STGW60H65FB 参考价格 ￥47.677，实时库存 5640。TO-247-3 Max, gate / emitter voltage: 20V, Package: TO-247-3, Collector Current Ic: 60A, Collector-emitter voltage: 650V, Pd-Power Dissipation: 375W, Termination type: Through Hole, Operating Temperature Range: -40℃~175℃, Gate Threshold Voltage-VGE(th): 20V, IGBT类型: FS(场截止), 集射极击穿电压(Vces): 650V, 集电极电流(Ic): 80A, 功率(Pd): 375W, 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic): 2.3V@15V,60A, 栅极电荷(Qg@Ic,Vge): 306nC, 开启延迟时间(Td(on)): 51ns, 关断延迟时间(Td(off)): 160ns, 导通损耗(Eon): 1.09mJ, 关断损耗(Eoff): 0.626mJ, 工作温度: -55℃~+175℃@(Tj)。你可以下载 STGW60H65FB 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。