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NP110N04PUK-E1-AY

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Renesas(瑞萨)
型号:
编号:
封装:TO-263-3
海关编码:EAR99
参数描述:MOSFET N-CH 40V 110A TO-263
数据手册:
数据手册
规格
Category
RFFETMOSFET
Termination type
表面贴装
VDS
40V
Package
TO-263-3
Operating Temperature Range
175°C(TJ)
Pd-Power Dissipation
1.8W 348W
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
110A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
1.4mΩ@55A,10V
功率(Pd)
348W;1.8W
阈值电压(Vgs(th)@Id)
4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)
297nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)
15.75nF@25V
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
52.49186
10+
44.04218
100+
35.63208
数量(递增量:1):
库存:
14,400
最小包装量:
800
交付周期:
14-19 工作日
共:
52.50
C000010464 NP110N04PUK-E1-AY 由 Renesas(瑞萨) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000010464 NP110N04PUK-E1-AY 参考价格 ¥52.4919,实时库存 14400。TO-263-3 Termination type: 表面贴装, VDS: 40V, Package: TO-263-3, Operating Temperature Range: 175°C(TJ), Pd-Power Dissipation: 1.8W 348W, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 40V, 连续漏极电流(Id): 110A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 1.4mΩ@55A,10V, 功率(Pd): 348W;1.8W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 4V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 297nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 15.75nF@25V。你可以下载 NP110N04PUK-E1-AY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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