NDS0610-G

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产商:	ON(安森美)
型号:	NDS0610-G
编号:	C000016217
封装:	SOT-23-3
海关编码:	EAR99
参数描述:	MOSFET FET -60V 10.0 MOHM
数据手册:

规格

Category

MOSFET

Circuit Branch Number

1Channel

Transistor polarity

MOSFET

Continuous drain current

0.12A

VGS

20V

VDS

60V

Pd-Power Dissipation

0.36W

Rds On

10Ω

Qg

1.8 nC

Package

SOT-23-3

Operating Temperature Range

-55℃~150℃

Termination type

SMD/SMT

类型

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

120mA

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

10Ω@500mA,10V

阈值电压(Vgs(th)@Id)

3.5V@1mA

功率(Pd)

360mW

栅极电荷(Qg@Vgs)

2.5nC@10V

输入电容(Ciss@Vds)

79pF@25V

工作温度

-55℃~+150℃@(Tj)

店铺:

1001

入驻

合作库存

数量[pcs]

单价[CNY/pcs]

3000+

0.63653

6000+

0.60856

9000+

0.52627

30000+

0.51649

75000+

0.42762

150000+

0.42104

数量(递增量:3000):

库存:

660,000

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C000016217 NDS0610-G 由 ON(安森美) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000016217 NDS0610-G 参考价格 ￥0.6365，实时库存 660000。SOT-23-3 Circuit Branch Number: 1Channel, Transistor polarity: MOSFET, Continuous drain current: 0.12A, VGS: 20V, VDS: 60V, Pd-Power Dissipation: 0.36W, Rds On: 10Ω, Qg: 1.8 nC, Package: SOT-23-3, Operating Temperature Range: -55℃~150℃, Termination type: SMD/SMT, 类型: 1个P沟道, 漏源电压(Vdss): 60V, 连续漏极电流(Id): 120mA, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 10Ω@500mA,10V, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 3.5V@1mA, 功率(Pd): 360mW, 栅极电荷(Qg@Vgs): 2.5nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 79pF@25V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 NDS0610-G 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。