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TK750A60F,S4X

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Toshiba(东芝)
型号:
编号:
封装:TO-220SIS
海关编码:EAR99
参数描述:N-Channel 600V 10A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
数据手册:
数据手册
规格
Category
RFFETMOSFET
VDS
600V
Pd-Power Dissipation
40W
Termination type
Through Hole
Circuit Branch Number
1Channel
Package
TO-220SIS
Continuous drain current
10A
Rds On
0.75Ω
Qg
30 nC
VGS
30V
Operating Temperature Range
150℃
Transistor polarity
MOSFET
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
600V
连续漏极电流(Id)
10A
功率(Pd)
40W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
750mΩ@5A,10V
阈值电压(Vgs(th)@Id)
4V@1mA
栅极电荷(Qg@Vgs)
30nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)
1.13nF@300V
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
15.80888
10+
13.18966
100+
10.38335
250+
10.00918
500+
8.76505
1000+
7.51156
数量(递增量:1):
库存:
12,450
最小包装量:
50
交付周期:
18-20 工作日
共:
15.81
C000017972 TK750A60F,S4X 由 Toshiba(东芝) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000017972 TK750A60F,S4X 参考价格 ¥15.8089,实时库存 12450。TO-220SIS VDS: 600V, Pd-Power Dissipation: 40W, Termination type: Through Hole, Circuit Branch Number: 1Channel, Package: TO-220SIS, Continuous drain current: 10A, Rds On: 0.75Ω, Qg: 30 nC, VGS: 30V, Operating Temperature Range: 150℃, Transistor polarity: MOSFET, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 600V, 连续漏极电流(Id): 10A, 功率(Pd): 40W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 750mΩ@5A,10V, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 4V@1mA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 30nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 1.13nF@300V。你可以下载 TK750A60F,S4X 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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