SI7272DP-T1-GE3

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产商:	Vishay(威世)
型号:	SI7272DP-T1-GE3
编号:	C000023384
封装:	SO-8
海关编码:	EAR99
参数描述:	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 25A 22W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
数据手册:	数据手册

规格

Category

RFFETMOSFET

VDS

30V

Package

SO-8

Rds On

0.0093Ω

Transistor polarity

MOSFET

Circuit Branch Number

2Channel

VGS

10V

Qg

17 nC

Height

1.04 mm

Termination type

SMD/SMT

Operating Temperature Range

150℃~-55℃

Pd-Power Dissipation

22W

Continuous drain current

25A

Length

6.15 mm

Width

5.15 mm

类型

2个N沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

25A

功率(Pd)

22W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

9.3mΩ@15A,10V

阈值电压(Vgs(th)@Id)

2.5V@250uA

栅极电荷(Qg@Vgs)

26nC@10V

输入电容(Ciss@Vds)

1.1nF@15V

工作温度

-55℃~+150℃@(Tj)

店铺:

1001

入驻

合作库存

数量[pcs]

单价[CNY/pcs]

1+

13.50061

10+

11.07428

100+

8.61018

500+

7.2984

1000+

5.94531

数量(递增量:1):

库存:

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C000023384 SI7272DP-T1-GE3 由 Vishay(威世) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000023384 SI7272DP-T1-GE3 参考价格 ￥13.5006，实时库存 309000。SO-8 VDS: 30V, Package: SO-8, Rds On: 0.0093Ω, Transistor polarity: MOSFET, Circuit Branch Number: 2Channel, VGS: 10V, Qg: 17 nC, Height: 1.04 mm, Termination type: SMD/SMT, Operating Temperature Range: 150℃~-55℃, Pd-Power Dissipation: 22W, Continuous drain current: 25A, Length: 6.15 mm, Width: 5.15 mm, 类型: 2个N沟道, 漏源电压(Vdss): 30V, 连续漏极电流(Id): 25A, 功率(Pd): 22W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 9.3mΩ@15A,10V, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 26nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 1.1nF@15V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 SI7272DP-T1-GE3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。