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ZXMP3A16N8TA

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Diodes(美台)
型号:
编号:
封装:SO-8
海关编码:EAR99
参数描述:Trans MOSFET P-CH 30V 5.6A 8-Pin SOIC T/R
数据手册:
数据手册
规格
Category
MOSFET
VDS
30V
Pd-Power Dissipation
0.8W
VGS
20V
Width
4 mm
Length
5 mm
Operating Temperature Range
150℃~-55℃
Package
SO-8
Continuous drain current
6.7A
Transistor polarity
MOSFET
Rds On
0.07Ω
Height
1.5 mm
Circuit Branch Number
1Channel
Termination type
SMD/SMT
类型
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
5.6A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
40mΩ
功率(Pd)
1.9W
阈值电压(Vgs(th)@Id)
1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)
29.6nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)
1.022nF@15V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
500+
3.25177
数量(递增量:500):
库存:
9,500
最小包装量:
500
交付周期:
15-18 工作日
共:
1,625.89
C000031473 ZXMP3A16N8TA 由 Diodes(美台) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000031473 ZXMP3A16N8TA 参考价格 ¥3.2518,实时库存 9500。SO-8 VDS: 30V, Pd-Power Dissipation: 0.8W, VGS: 20V, Width: 4 mm, Length: 5 mm, Operating Temperature Range: 150℃~-55℃, Package: SO-8, Continuous drain current: 6.7A, Transistor polarity: MOSFET, Rds On: 0.07Ω, Height: 1.5 mm, Circuit Branch Number: 1Channel, Termination type: SMD/SMT, 类型: 1个P沟道, 漏源电压(Vdss): 30V, 连续漏极电流(Id): 5.6A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 40mΩ, 功率(Pd): 1.9W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 1V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 29.6nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 1.022nF@15V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 ZXMP3A16N8TA 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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