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GT1003A

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Goford
型号:
编号:
封装:SOT-23-3L
海关编码:EAR99
参数描述:115mΩ@10V
数据手册:
规格
Category
MOSFET
Continuous drain current
7A
Pd-Power Dissipation
17W
VDS
100V
Rds On
3.5A 0.14Ω 10V
Transistor polarity
N沟道
VGS
0.00025A 3V
Package
SOT-23-3L
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
3A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
110mΩ
功率(Pd)
1.6W
阈值电压(Vgs(th)@Id)
1.7V
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
3000+
0.85333
6000+
0.83436
9000+
0.739
30000+
0.72947
75000+
0.61973
150000+
0.596
数量(递增量:3000):
库存:
24,000
最小包装量:
3000
交付周期:
14-19 工作日
共:
2,559.99

C000032797 GT1003A 由 Goford 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000032797 GT1003A 参考价格 ¥0.8533,实时库存 24000。SOT-23-3L Continuous drain current: 7A, Pd-Power Dissipation: 17W, VDS: 100V, Rds On: 3.5A 0.14Ω 10V, Transistor polarity: N沟道, VGS: 0.00025A 3V, Package: SOT-23-3L, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 100V, 连续漏极电流(Id): 3A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 110mΩ, 功率(Pd): 1.6W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 1.7V。你可以下载 GT1003A 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。

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