IKD03N60RFATMA1

C000040234 IKD03N60RFATMA1 由 Infineon(英飞凌) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-IGBT管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000040234 IKD03N60RFATMA1 参考价格 ￥5.4668，实时库存 58892。TO-252-3 Pd-Power Dissipation: 53.6W, Collector-emitter saturation voltage: 2.5A 2.5V 15V, Operating Temperature Range: -40℃~175℃, Length: 6.73 mm, Width: 6.22 mm, Height: 2.41 mm, Collector Current Ic: 5A, Termination type: SMD/SMT, Collector-emitter voltage: 600V, Gate Threshold Voltage-VGE(th): 20V, Max, gate / emitter voltage: 20V, Types: 沟槽型场截止, Package: TO-252-3, IGBT类型: FS(场截止), 集射极击穿电压(Vces): 600V, 集电极电流(Ic): 6.5A, 功率(Pd): 53.6W, 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic): 2.5V@15V,2.5A, 栅极电荷(Qg@Ic,Vge): 17.1nC, 开启延迟时间(Td(on)): 10ns, 关断延迟时间(Td(off)): 128ns, 导通损耗(Eon): 0.05mJ, 关断损耗(Eoff): 0.04mJ, 反向恢复时间(Trr): 31ns, 工作温度: -40℃~+175℃@(Tj)。你可以下载 IKD03N60RFATMA1 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。