AOTF66616L

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产商:	AOS(美国万代)
型号:	AOTF66616L
编号:	C000044406
封装:	TO-220F
海关编码:	EAR99
参数描述:	通孔 N 通道 60V 38A (Ta), 72.5A (Tc) 8.3W (Ta), 30W (Tc) TO-220F
数据手册:

规格

Category

RFFETMOSFET

Operating Temperature Range

-55℃~150℃

Pd-Power Dissipation

30W 0.3W

Package

TO-220F

VDS

60V

Termination type

通孔

类型

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

38A；72.5A

功率(Pd)

8.3W；30W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

3.3mΩ@20A,10V

阈值电压(Vgs(th)@Id)

3.4V@250uA

栅极电荷(Qg@Vgs)

60nC@10V

输入电容(Ciss@Vds)

2.87nF@30V

工作温度

-55℃~+150℃@(Tj)

店铺:

1001

入驻

合作库存

数量[pcs]

单价[CNY/pcs]

1+

25.67947

50+

20.65496

100+

16.99464

500+

14.38026

1000+

12.20148

2000+

11.59145

数量(递增量:1):

库存:

15,750

+-

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14-19 工作日

共:

￥25.68

C000044406 AOTF66616L 由 AOS(美国万代) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000044406 AOTF66616L 参考价格 ￥25.6795，实时库存 15750。TO-220F Operating Temperature Range: -55℃~150℃, Pd-Power Dissipation: 30W 0.3W, Package: TO-220F, VDS: 60V, Termination type: 通孔, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 60V, 连续漏极电流(Id): 38A；72.5A, 功率(Pd): 8.3W；30W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 3.3mΩ@20A,10V, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 3.4V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 60nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 2.87nF@30V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 AOTF66616L 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。