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CSD18535KTT

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:TI(德州仪器)
型号:
编号:
封装:TO-263-3
海关编码:EAR99
参数描述:表面贴装型 N 通道 60V 200A(Ta) 300W(Tc) DDPAK/TO-263-3
数据手册:
规格
Category
RFFETMOSFET
Circuit Branch Number
1Channel
Termination type
SMD/SMT
Transistor polarity
MOSFET
Height
19.7 mm
Qg
81 nC
Pd-Power Dissipation
300W
Operating Temperature Range
-55℃~175℃
Package
TO-263-3
Length
9.25 mm
Width
10.26 mm
VGS
20V
VDS
60V
Continuous drain current
200A
Rds On
0.0023Ω
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
200A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
2mΩ@100A,10V
功率(Pd)
300W
阈值电压(Vgs(th)@Id)
2.4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)
81nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)
6.62nF@30V
工作温度
-55℃~+175℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
28.15665
10+
23.66655
25+
22.9182
100+
19.08291
250+
17.21204
500+
16.650781
数量(递增量:1):
库存:
9,000
最小包装量:
500
交付周期:
18-20 工作日
共:
28.16
C000046927 CSD18535KTT 由 TI(德州仪器) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000046927 CSD18535KTT 参考价格 ¥28.1567,实时库存 9000。TO-263-3 Circuit Branch Number: 1Channel, Termination type: SMD/SMT, Transistor polarity: MOSFET, Height: 19.7 mm, Qg: 81 nC, Pd-Power Dissipation: 300W, Operating Temperature Range: -55℃~175℃, Package: TO-263-3, Length: 9.25 mm, Width: 10.26 mm, VGS: 20V, VDS: 60V, Continuous drain current: 200A, Rds On: 0.0023Ω, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 60V, 连续漏极电流(Id): 200A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 2mΩ@100A,10V, 功率(Pd): 300W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 2.4V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 81nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 6.62nF@30V, 工作温度: -55℃~+175℃@(Tj)。你可以下载 CSD18535KTT 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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