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产商: | ON(安森美) |
型号: | |
编号: | |
封装: | SOT-23 |
海关编码: | EAR99 |
参数描述: | JFET N 通道 35V 350mW 表面贴装型 SOT-23-3 |
数据手册: | |
规格
Pd-Power Dissipation
0.35W
Operating Temperature Range
-55℃~150℃
栅源截止电压(VGS(off)@ID)
3V@1uA
饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0)
20mA@15V
C000051088 MMBFJ111 由 ON(安森美) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-结型场效应晶体管(JFET) 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000051088 MMBFJ111 参考价格 ¥3.7082,实时库存 378594。SOT-23 Pd-Power Dissipation: 0.35W, Rds On: 30Ω, Termination type: SMD/SMT, Package: SOT-23, Operating Temperature Range: -55℃~150℃, VGS: 3V, Transistor polarity: JFET, FET类型: N沟道, 栅源截止电压(VGS(off)@ID): 3V@1uA, 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 35V, 功率(Pd): 350mW, 漏源导通电阻(RDS(on)): 30Ω, 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0): 20mA@15V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 MMBFJ111 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。