AOI4286

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产商:	AOS(美国万代)
型号:	AOI4286
编号:	C000056600
封装:	TO-251A
海关编码:	EAR99
参数描述:	通孔 N 通道 100V 4A（Ta），14A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） TO-251A
数据手册:

规格

Category

RFFETMOSFET

VDS

100V

Package

TO-251A

Termination type

通孔

Operating Temperature Range

-55℃~175℃

Pd-Power Dissipation

30W 2.5W

类型

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

100V

连续漏极电流(Id)

14A；4A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

68mΩ@5A,10V

功率(Pd)

30W；2.5W

阈值电压(Vgs(th)@Id)

2.9V@250uA

栅极电荷(Qg@Vgs)

10nC@10V

输入电容(Ciss@Vds)

390pF@50V

工作温度

-55℃~+175℃@(Tj)

店铺:

1001

入驻

合作库存

数量[pcs]

单价[CNY/pcs]

1+

5.759

10+

4.95652

100+

3.43271

500+

2.86816

1000+

2.44106

2000+

2.17403

数量(递增量:1):

库存:

33,600

+-

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14-19 工作日

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C000056600 AOI4286 由 AOS(美国万代) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000056600 AOI4286 参考价格 ￥5.759，实时库存 33600。TO-251A VDS: 100V, Package: TO-251A, Termination type: 通孔, Operating Temperature Range: -55℃~175℃, Pd-Power Dissipation: 30W 2.5W, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 100V, 连续漏极电流(Id): 14A；4A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 68mΩ@5A,10V, 功率(Pd): 30W；2.5W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 2.9V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 10nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 390pF@50V, 工作温度: -55℃~+175℃@(Tj)。你可以下载 AOI4286 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。