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NXPSC08650Q

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:WeEn(瑞能)
型号:
编号:
封装:
海关编码:EAR99
参数描述:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 8A Through Hole TO-220AC
数据手册:
规格
Category
整流二极管
If-forward Current
8A
Vr-reverse voltage
650V
Termination type
通孔
Reverse recovery time
0nS
junction capacitance
260pF
Temperature Coefficient
碳化硅
Reverse Leakage Current
0.00005A
Configuration
独立式
Operating Temperature-Max
+175℃
Vf-Forward Voltage
1.5V
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
46.29529
10+
39.84263
100+
33.197921
500+
30.62454
1000+
27.8079
数量(递增量:1):
库存:
22,705
最小包装量:
1
交付周期:
14-16 工作日
共:
46.30

C000057263 NXPSC08650Q 由 WeEn(瑞能) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-二极管-整流二极管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000057263 NXPSC08650Q 参考价格 ¥46.2953,实时库存 22705。 If-forward Current: 8A, Vr-reverse voltage: 650V, Termination type: 通孔, Reverse recovery time: 0nS, junction capacitance: 260pF, Temperature Coefficient: 碳化硅, Reverse Leakage Current: 0.00005A, Configuration: 独立式, Operating Temperature-Max: +175℃, Vf-Forward Voltage: 1.5V。你可以下载 NXPSC08650Q 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。

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