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SI8416DB-T2-E1

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Vishay(威世)
型号:
编号:
封装:MicroFoot-6
海关编码:EAR99
参数描述:
数据手册:
数据手册
规格
Category
MOSFET
Package
MicroFoot-6
Height
0.6 mm
Operating Temperature Range
-55℃~150℃
Transistor polarity
MOSFET
Length
2.36 mm
Width
1.56 mm
VDS
8V
Pd-Power Dissipation
77W 13W
Termination type
SMD/SMT
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
8V
连续漏极电流(Id)
16A
功率(Pd)
2.77W;13W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
23mΩ@1.5A,4.5V
阈值电压(Vgs(th)@Id)
800mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)
26nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)
1.47nF@4V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
6.41987
10+
5.57962
100+
3.86137
500+
3.22674
1000+
2.74612
数量(递增量:1):
库存:
96,000
最小包装量:
3000
交付周期:
14-19 工作日
共:
6.42
C000058291 SI8416DB-T2-E1 由 Vishay(威世) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000058291 SI8416DB-T2-E1 参考价格 ¥6.4199,实时库存 96000。MicroFoot-6 Package: MicroFoot-6, Height: 0.6 mm, Operating Temperature Range: -55℃~150℃, Transistor polarity: MOSFET, Length: 2.36 mm, Width: 1.56 mm, VDS: 8V, Pd-Power Dissipation: 77W 13W, Termination type: SMD/SMT, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 8V, 连续漏极电流(Id): 16A, 功率(Pd): 2.77W;13W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 23mΩ@1.5A,4.5V, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 800mV@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 26nC@4.5V, 输入电容(Ciss@Vds): 1.47nF@4V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 SI8416DB-T2-E1 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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