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STP10N105K5

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:ST(意法半导体)
型号:
编号:
封装:TO-220-3
海关编码:EAR99
参数描述:通孔 N 通道 1050V 6A(Tc) 130W(Tc) TO-220
数据手册:
数据手册
规格
Category
MOSFET
Circuit Branch Number
1Channel
Operating Temperature Range
-55℃~150℃
VDS
1050V
Pd-Power Dissipation
130W
Package
TO-220-3
Continuous drain current
6A
Rds On
1.3Ω
Transistor polarity
MOSFET
Termination type
Through Hole
VGS
30V
Qg
21.5 nC
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.05kV
连续漏极电流(Id)
6A
功率(Pd)
130W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
1.3Ω@3A,10V
阈值电压(Vgs(th)@Id)
5V@100uA
栅极电荷(Qg@Vgs)
21.5nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)
545pF@100V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
33.208
10+
28.81145
25+
26.37932
100+
22.63757
250+
22.45048
500+
20.11189
数量(递增量:1):
库存:
12,000
最小包装量:
1000
交付周期:
18-20 工作日
共:
33.21
C000070817 STP10N105K5 由 ST(意法半导体) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000070817 STP10N105K5 参考价格 ¥33.208,实时库存 12000。TO-220-3 Circuit Branch Number: 1Channel, Operating Temperature Range: -55℃~150℃, VDS: 1050V, Pd-Power Dissipation: 130W, Package: TO-220-3, Continuous drain current: 6A, Rds On: 1.3Ω, Transistor polarity: MOSFET, Termination type: Through Hole, VGS: 30V, Qg: 21.5 nC, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 1.05kV, 连续漏极电流(Id): 6A, 功率(Pd): 130W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 1.3Ω@3A,10V, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 5V@100uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 21.5nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 545pF@100V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 STP10N105K5 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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