SIR180DP-T1-RE3

C000076916 SIR180DP-T1-RE3 由 Vishay(威世) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000076916 SIR180DP-T1-RE3 参考价格 ￥16.1829，实时库存 264241。SO-8 Rds On: 0.00205Ω, Pd-Power Dissipation: 0.3W, Qg: 87 nC, Continuous drain current: 60A, Termination type: SMD/SMT, Operating Temperature Range: 150℃~-55℃, Package: SO-8, Circuit Branch Number: 1Channel, Transistor polarity: MOSFET, VGS: 20V, VDS: 60V, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 60V, 连续漏极电流(Id): 60A；32.4A, 功率(Pd): 83.3W；5.4W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 2.05mΩ@10A,10V, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 3.6V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 87nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 4.03nF@30V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 SIR180DP-T1-RE3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。