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DMN2011UTS-13

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Diodes(美台)
型号:
编号:
封装:TSSOP-8
海关编码:EAR99
参数描述:表面贴装型 N 通道 20V 21A(Tc) 1.3W(Ta) 8-TSSOP
数据手册:
数据手册
规格
Category
MOSFET
Qg
24 nC
VDS
20V
Package
TSSOP-8
Rds On
0.0072Ω
Continuous drain current
21A
Operating Temperature Range
-55℃~150℃
Circuit Branch Number
1Channel
VGS
4.5V
Termination type
表面贴装型
Pd-Power Dissipation
0.3W
Transistor polarity
MOSFET
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
21A
功率(Pd)
1.3W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
11mΩ@7A,4.5V
阈值电压(Vgs(th)@Id)
1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)
56nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)
2.248nF@10V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
5.23845
10+
4.50881
100+
3.14307
500+
2.45085
1000+
1.99248
2500+
1.71185
数量(递增量:1):
库存:
270
最小包装量:
2500
交付周期:
18-20 工作日
共:
5.24
C000078526 DMN2011UTS-13 由 Diodes(美台) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000078526 DMN2011UTS-13 参考价格 ¥5.2385,实时库存 270。TSSOP-8 Qg: 24 nC, VDS: 20V, Package: TSSOP-8, Rds On: 0.0072Ω, Continuous drain current: 21A, Operating Temperature Range: -55℃~150℃, Circuit Branch Number: 1Channel, VGS: 4.5V, Termination type: 表面贴装型, Pd-Power Dissipation: 0.3W, Transistor polarity: MOSFET, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 20V, 连续漏极电流(Id): 21A, 功率(Pd): 1.3W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 11mΩ@7A,4.5V, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 1V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 56nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 2.248nF@10V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 DMN2011UTS-13 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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