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PMV120ENEAR

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Nexperia(安世)
型号:
编号:
封装:SOT-23-3
海关编码:EAR99
参数描述:表面贴装型 N 通道 60V 2.1A(Ta) 513mW(Ta), 6.4W(Tc) TO-236AB
数据手册:
数据手册
规格
Category
RFFETMOSFET
Pd-Power Dissipation
0.4W
Operating Temperature Range
-55℃~150℃
Termination type
表面贴装型
VDS
60V
Package
SOT-23-3
Transistor polarity
MOSFET
Qualification level
AEC-Q101
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
2.1A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
123mΩ@2.1A,10V
功率(Pd)
513mW;6.4W
阈值电压(Vgs(th)@Id)
2.7V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)
7.4nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)
275pF@30V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
3.64821
10+
2.64729
100+
1.56218
1000+
1.09447
3000+
0.92609
9000+
0.87932
数量(递增量:1):
库存:
879,000
最小包装量:
3000
交付周期:
18-20 工作日
共:
3.65
C000087744 PMV120ENEAR 由 Nexperia(安世) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000087744 PMV120ENEAR 参考价格 ¥3.6482,实时库存 879000。SOT-23-3 Pd-Power Dissipation: 0.4W, Operating Temperature Range: -55℃~150℃, Termination type: 表面贴装型, VDS: 60V, Package: SOT-23-3, Transistor polarity: MOSFET, Qualification level: AEC-Q101, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 60V, 连续漏极电流(Id): 2.1A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 123mΩ@2.1A,10V, 功率(Pd): 513mW;6.4W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 2.7V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 7.4nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 275pF@30V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 PMV120ENEAR 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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