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NX7002AKAR

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Nexperia(安世)
型号:
编号:
封装:TO-236AB
海关编码:EAR99
参数描述:MOSFET N-CH 60V TO-236AB
数据手册:
数据手册
规格
Category
RFFETMOSFET
VDS
60V
Termination type
表面贴装
Package
TO-236AB
Operating Temperature Range
-55℃~150℃
Pd-Power Dissipation
1.33W
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
190mA
功率(Pd)
265mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
4.5Ω@10V,100mA
阈值电压(Vgs(th)@Id)
2.1V@250uA
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
1.68379
10+
0.97286
100+
0.57062
1000+
0.5145
3000+
0.43966
9000+
0.43031
数量(递增量:1):
库存:
489,000
最小包装量:
3000
交付周期:
18-20 工作日
共:
1.69
C000090505 NX7002AKAR 由 Nexperia(安世) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000090505 NX7002AKAR 参考价格 ¥1.6838,实时库存 489000。TO-236AB VDS: 60V, Termination type: 表面贴装, Package: TO-236AB, Operating Temperature Range: -55℃~150℃, Pd-Power Dissipation: 1.33W, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 60V, 连续漏极电流(Id): 190mA, 功率(Pd): 265mW, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 4.5Ω@10V,100mA, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 2.1V@250uA。你可以下载 NX7002AKAR 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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