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FDA28N50F

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:ON(安森美)
型号:
编号:
封装:TO-3PN
海关编码:EAR99
参数描述:通孔 N 通道 500V 28A(Tc) 310W(Tc) TO-3PN
数据手册:
数据手册
规格
Category
RFFETMOSFET
Operating Temperature Range
-55℃~150℃
Termination type
Through Hole
Transistor polarity
MOSFET
Height
20.1 mm
Package
TO-3PN
Rds On
0.175Ω
VDS
500V
Continuous drain current
28A
Length
16.2 mm
Circuit Branch Number
1Channel
Width
5 mm
VGS
30V
Pd-Power Dissipation
310W
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
500V
连续漏极电流(Id)
28A
功率(Pd)
310W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
175mΩ@14A,10V
阈值电压(Vgs(th)@Id)
5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)
105nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)
5.387nF@25V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
44.84856
10+
33.85087
120+
30.27886
数量(递增量:1):
库存:
555
最小包装量:
1
交付周期:
14-16 工作日
共:
44.85
C000100686 FDA28N50F 由 ON(安森美) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000100686 FDA28N50F 参考价格 ¥44.8486,实时库存 555。TO-3PN Operating Temperature Range: -55℃~150℃, Termination type: Through Hole, Transistor polarity: MOSFET, Height: 20.1 mm, Package: TO-3PN, Rds On: 0.175Ω, VDS: 500V, Continuous drain current: 28A, Length: 16.2 mm, Circuit Branch Number: 1Channel, Width: 5 mm, VGS: 30V, Pd-Power Dissipation: 310W, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 500V, 连续漏极电流(Id): 28A, 功率(Pd): 310W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 175mΩ@14A,10V, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 5V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 105nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 5.387nF@25V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 FDA28N50F 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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