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NP100N04PUK-E1-AY

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Renesas(瑞萨)
型号:
编号:
封装:TO-263
海关编码:EAR99
参数描述:MOSFET N-CH 40V 100A TO-263
数据手册:
数据手册
规格
Category
RFFETMOSFET
Operating Temperature Range
175°C(TJ)
Package
TO-263
VDS
40V
Pd-Power Dissipation
176W 1.8W
Termination type
表面贴装
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
100A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
2.3mΩ@50A,10V
功率(Pd)
176W;1.8W
栅极电荷(Qg@Vgs)
120nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)
7.05nF@25V
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
800+
16.9043
1600+
14.47433
2400+
13.62906
5600+
13.07576
数量(递增量:800):
库存:
6,400
最小包装量:
800
交付周期:
14-19 工作日
共:
13,523.44
C000104314 NP100N04PUK-E1-AY 由 Renesas(瑞萨) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000104314 NP100N04PUK-E1-AY 参考价格 ¥16.9043,实时库存 6400。TO-263 Operating Temperature Range: 175°C(TJ), Package: TO-263, VDS: 40V, Pd-Power Dissipation: 176W 1.8W, Termination type: 表面贴装, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 40V, 连续漏极电流(Id): 100A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 2.3mΩ@50A,10V, 功率(Pd): 176W;1.8W, 栅极电荷(Qg@Vgs): 120nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 7.05nF@25V。你可以下载 NP100N04PUK-E1-AY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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