ZXT11N20DFTA

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产商:	Diodes(美台)
型号:	ZXT11N20DFTA
编号:	C000117619
封装:	SOT-23-3
海关编码:	EAR99
参数描述:
数据手册:	数据手册

规格

Category

双极晶体管(三极管)

Package

SOT-23-3

Collector Current Ic

2.5A

Pd-Power Dissipation

0.625W

Collector-emitter voltage

20V

Transistor type

NPN

晶体管类型

NPN

集电极电流(Ic)

2.5A

集射极击穿电压(Vceo)

20V

功率(Pd)

625mW

直流电流增益(hFE@Ic,Vce)

300@100mA,2V

特征频率(fT)

160MHz

集电极截止电流(Icbo)

100nA

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)

90mV@2.5A,250mA

工作温度

-55℃~+150℃@(Tj)

店铺:

1001

入驻

合作库存

数量[pcs]

单价[CNY/pcs]

100+

3.27755

500+

2.73983

1000+

2.33013

3000+

2.24051

数量(递增量:1):

库存:

437,698

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14-16 工作日

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C000117619 ZXT11N20DFTA 由 Diodes(美台) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-双极晶体管(三极管) 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000117619 ZXT11N20DFTA 参考价格 ￥3.2776，实时库存 437698。SOT-23-3 Package: SOT-23-3, Collector Current Ic: 2.5A, Pd-Power Dissipation: 0.625W, Collector-emitter voltage: 20V, Transistor type: NPN, 晶体管类型: NPN, 集电极电流(Ic): 2.5A, 集射极击穿电压(Vceo): 20V, 功率(Pd): 625mW, 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 300@100mA,2V, 特征频率(fT): 160MHz, 集电极截止电流(Icbo): 100nA, 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 90mV@2.5A,250mA, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 ZXT11N20DFTA 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。