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NP36P06SLG-E1-AY

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Renesas(瑞萨)
型号:
编号:
封装:TO-252
海关编码:EAR99
参数描述:MOSFET P-CH 60V 36A TO-252
数据手册:
数据手册
规格
Category
RFFETMOSFET
Package
TO-252
VDS
60V
Termination type
表面贴装
Operating Temperature Range
175°C(TJ)
Pd-Power Dissipation
56W 1.2W
类型
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
36A
功率(Pd)
56W;1.2W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
30mΩ@18A,10V
栅极电荷(Qg@Vgs)
52nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)
3.2nF@10V
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
15.86085
10+
13.1985
100+
10.50591
500+
8.88942
1000+
7.54248
数量(递增量:1):
库存:
115,000
最小包装量:
2500
交付周期:
14-19 工作日
共:
15.87
C000119258 NP36P06SLG-E1-AY 由 Renesas(瑞萨) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000119258 NP36P06SLG-E1-AY 参考价格 ¥15.8609,实时库存 115000。TO-252 Package: TO-252, VDS: 60V, Termination type: 表面贴装, Operating Temperature Range: 175°C(TJ), Pd-Power Dissipation: 56W 1.2W, 类型: 1个P沟道, 漏源电压(Vdss): 60V, 连续漏极电流(Id): 36A, 功率(Pd): 56W;1.2W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 30mΩ@18A,10V, 栅极电荷(Qg@Vgs): 52nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 3.2nF@10V。你可以下载 NP36P06SLG-E1-AY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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