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产商: | ST(意法半导体) |
型号: | |
编号: | |
封装: | TO-252-2 |
海关编码: | EAR99 |
参数描述: | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 8A 20W Through Hole TO-251-3 |
数据手册: | |
规格
Operating Temperature Range
150℃
Maximum collector cut-off current
0.00001A
Collector-Base Voltage VCBO
100V
Termination type
Through Hole
Collector-emitter voltage
100V
C000122917 MJD122-1 由 ST(意法半导体) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-数字三极管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000122917 MJD122-1 参考价格 ¥9.1578,实时库存 79725。TO-252-2 Length: 6.6 mm, Height: 7.2 mm, Width: 2.4 mm, Operating Temperature Range: 150℃, Transistor polarity: NPN, Package: TO-252-2, Pd-Power Dissipation: 20W, Collector Current Ic: 5A, Maximum collector cut-off current: 0.00001A, Collector-Base Voltage VCBO: 100V, Termination type: Through Hole, Collector-emitter voltage: 100V, 发射极 - 基极电压 VEBO: 5V。你可以下载 MJD122-1 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。