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MJD122-1

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:ST(意法半导体)
型号:
编号:
封装:TO-252-2
海关编码:EAR99
参数描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 8A 20W Through Hole TO-251-3
数据手册:
规格
Category
数字三极管
Length
6.6 mm
Height
7.2 mm
Width
2.4 mm
Operating Temperature Range
150℃
Transistor polarity
NPN
Package
TO-252-2
Pd-Power Dissipation
20W
Collector Current Ic
5A
Maximum collector cut-off current
0.00001A
Collector-Base Voltage VCBO
100V
Termination type
Through Hole
Collector-emitter voltage
100V
发射极 - 基极电压 VEBO
5V
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
9.15776
10+
7.47726
100+
5.8147
500+
4.92889
1000+
4.01511
2000+
3.77978
数量(递增量:1):
库存:
79,725
最小包装量:
75
交付周期:
14-19 工作日
共:
9.16
C000122917 MJD122-1 由 ST(意法半导体) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-数字三极管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000122917 MJD122-1 参考价格 ¥9.1578,实时库存 79725。TO-252-2 Length: 6.6 mm, Height: 7.2 mm, Width: 2.4 mm, Operating Temperature Range: 150℃, Transistor polarity: NPN, Package: TO-252-2, Pd-Power Dissipation: 20W, Collector Current Ic: 5A, Maximum collector cut-off current: 0.00001A, Collector-Base Voltage VCBO: 100V, Termination type: Through Hole, Collector-emitter voltage: 100V, 发射极 - 基极电压 VEBO: 5V。你可以下载 MJD122-1 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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