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NVF6P02T3G

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:ON(安森美)
型号:
编号:
封装:SOT-223-3
海关编码:EAR99
参数描述:表面贴装型 P 通道 20V 10A(Ta) 8.3W(Ta) SOT-223(TO-261)
数据手册:
数据手册
规格
Category
RFFETMOSFET
Rds On
0.044Ω
Operating Temperature Range
-55℃~150℃
VDS
25V
Package
SOT-223-3
VGS
1V
Pd-Power Dissipation
0.3W
Qualification level
AEC-Q101
Qg
1.7 nC
Circuit Branch Number
1Channel
Termination type
SMD/SMT
Transistor polarity
MOSFET
Continuous drain current
10A
类型
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
10A
功率(Pd)
8.3W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
44mΩ@4.5V,6A
阈值电压(Vgs(th)@Id)
1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)
20nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)
1.2nF@16V
反向传输电容(Crss@Vds)
110pF@10V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
11.41233
10+
9.44791
100+
7.28706
500+
6.18324
1000+
5.03265
2000+
4.74267
数量(递增量:1):
库存:
112,000
最小包装量:
4000
交付周期:
18-20 工作日
共:
11.42
C000127469 NVF6P02T3G 由 ON(安森美) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000127469 NVF6P02T3G 参考价格 ¥11.4123,实时库存 112000。SOT-223-3 Rds On: 0.044Ω, Operating Temperature Range: -55℃~150℃, VDS: 25V, Package: SOT-223-3, VGS: 1V, Pd-Power Dissipation: 0.3W, Qualification level: AEC-Q101, Qg: 1.7 nC, Circuit Branch Number: 1Channel, Termination type: SMD/SMT, Transistor polarity: MOSFET, Continuous drain current: 10A, 类型: 1个P沟道, 漏源电压(Vdss): 20V, 连续漏极电流(Id): 10A, 功率(Pd): 8.3W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 44mΩ@4.5V,6A, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 1V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 20nC@4.5V, 输入电容(Ciss@Vds): 1.2nF@16V, 反向传输电容(Crss@Vds): 110pF@10V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 NVF6P02T3G 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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