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N0601N-ZK-E1-AY
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| Mfr.: | Renesas(瑞萨) |
| Mfr. Part #: | |
| YJC. No: | |
| Package: | TO-263 |
| ECCN: | EAR99 |
| Description: | MOSFET N-CH 60V 100A TO-263 |
| Datasheet: | Datasheet |
SPECIFICATION
Category
RFFETMOSFET
VDS
60V
Operating Temperature Range
150°C（TJ）
Termination type
表面贴装
Pd-Power Dissipation
156W 1.5W
Package
TO-263
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
100A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
4.2mΩ@50A,10V
功率(Pd)
156W；1.5W
栅极电荷(Qg@Vgs)
133nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)
7.73nF@25V
QTY[pcs]
Price[CNY/pcs]
800+
15.10401
1600+
12.81549
2400+
12.1748
5600+
11.71704
QTY(Multiplicity:800):
Stock:
11,200Mpq:
800
Delivery:
14-19 Business Day
Total:
￥12,083.21
C000127590 N0601N-ZK-E1-AY 由 Renesas(瑞萨) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000127590 N0601N-ZK-E1-AY 参考价格 ￥15.104，实时库存 11200。TO-263 VDS: 60V, Operating Temperature Range: 150°C（TJ）, Termination type: 表面贴装, Pd-Power Dissipation: 156W 1.5W, Package: TO-263, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 60V, 连续漏极电流(Id): 100A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 4.2mΩ@50A,10V, 功率(Pd): 156W；1.5W, 栅极电荷(Qg@Vgs): 133nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 7.73nF@25V。你可以下载 N0601N-ZK-E1-AY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。
Datasheet
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