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DMP2022LSSQ-13

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Diodes(美台)
型号:
编号:
封装:SO-8
海关编码:EAR99
参数描述:MOSFET PCH 20V 9.3A 8SO
数据手册:
数据手册
规格
Category
RFFETMOSFET
VDS
20V
Qualification level
AEC-Q101
Operating Temperature Range
-55℃~155℃
Package
SO-8
Pd-Power Dissipation
0.6W
Transistor polarity
MOSFET
Termination type
SMD/SMT
类型
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
9.3A
功率(Pd)
1.6W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
13mΩ@10A,10V
阈值电压(Vgs(th)@Id)
1.1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)
60.2nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)
2.575nF@10V
工作温度
-55℃~+155℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
8.79311
10+
7.66123
100+
5.30393
500+
4.43397
1000+
3.76981
2500+
3.35822
数量(递增量:1):
库存:
40,000
最小包装量:
2500
交付周期:
18-20 工作日
共:
8.80
C000129828 DMP2022LSSQ-13 由 Diodes(美台) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000129828 DMP2022LSSQ-13 参考价格 ¥8.7931,实时库存 40000。SO-8 VDS: 20V, Qualification level: AEC-Q101, Operating Temperature Range: -55℃~155℃, Package: SO-8, Pd-Power Dissipation: 0.6W, Transistor polarity: MOSFET, Termination type: SMD/SMT, 类型: 1个P沟道, 漏源电压(Vdss): 20V, 连续漏极电流(Id): 9.3A, 功率(Pd): 1.6W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 13mΩ@10A,10V, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 1.1V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 60.2nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 2.575nF@10V, 工作温度: -55℃~+155℃@(Tj)。你可以下载 DMP2022LSSQ-13 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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