CSD19532KTT

C000130885 CSD19532KTT 由 TI(德州仪器) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000130885 CSD19532KTT 参考价格 ￥21.9828，实时库存 9000。TO-263-3 Termination type: SMD/SMT, Circuit Branch Number: 1Channel, Package: TO-263-3, Length: 9.25 mm, Width: 10.26 mm, Operating Temperature Range: -55℃~175℃, Continuous drain current: 200A, Transistor polarity: MOSFET, Qg: 44 nC, Height: 4.7 mm, Pd-Power Dissipation: 250W, VDS: 100V, VGS: 10V, Rds On: 0.0056Ω, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 100V, 连续漏极电流(Id): 200A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 5.6mΩ@90A,10V, 功率(Pd): 250W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 3.2V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 57nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 5.06nF@50V, 工作温度: -55℃~+175℃@(Tj)。你可以下载 CSD19532KTT 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。