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LND150N8-G

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Microchip(微芯)
型号:
编号:
封装:SOT-89-3
海关编码:EAR99
参数描述:N-Channel 500V 30mA (Tj) 1.6W (Ta) Surface Mount SOT-89-3
数据手册:
数据手册
规格
Category
RFFETMOSFET
Circuit Branch Number
1Channel
Transistor polarity
FET
Operating Temperature Range
-55℃~150℃
Package
SOT-89-3
VGS
20V
Rds On
1000Ω
VDS
500V
Continuous drain current
0.03A
Termination type
SMD/SMT
Width
2.6 mm
Height
1.6 mm
Pd-Power Dissipation
0.6W
Length
4.6 mm
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
500V
连续漏极电流(Id)
30mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
1kΩ@500uA,0V
功率(Pd)
1.6W
输入电容(Ciss@Vds)
10pF@25V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
7.45838
25+
6.13664
100+
5.66459
数量(递增量:1):
库存:
220,000
最小包装量:
2000
交付周期:
14-19 工作日
共:
7.46
C000144724 LND150N8-G 由 Microchip(微芯) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000144724 LND150N8-G 参考价格 ¥7.4584,实时库存 220000。SOT-89-3 Circuit Branch Number: 1Channel, Transistor polarity: FET, Operating Temperature Range: -55℃~150℃, Package: SOT-89-3, VGS: 20V, Rds On: 1000Ω, VDS: 500V, Continuous drain current: 0.03A, Termination type: SMD/SMT, Width: 2.6 mm, Height: 1.6 mm, Pd-Power Dissipation: 0.6W, Length: 4.6 mm, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 500V, 连续漏极电流(Id): 30mA, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 1kΩ@500uA,0V, 功率(Pd): 1.6W, 输入电容(Ciss@Vds): 10pF@25V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 LND150N8-G 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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