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SSM3J358R,LF

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Toshiba(东芝)
型号:
编号:
封装:SOT-23F
海关编码:EAR99
参数描述:表面贴装型 P 通道 20V 6A(Ta) 1W(Ta) SOT-23F
数据手册:
数据手册
规格
Category
RFFETMOSFET
VGS
10V
Qg
38.5 nC
Pd-Power Dissipation
2W
VDS
20V
Operating Temperature Range
150℃
Transistor polarity
MOSFET
Continuous drain current
6A
Termination type
SMD/SMT
Rds On
0.0175Ω
Circuit Branch Number
1Channel
Package
SOT-23F
类型
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
6A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
22.1mΩ@8V,6A
功率(Pd)
1W
阈值电压(Vgs(th)@Id)
1V@1mA
栅极电荷(Qg@Vgs)
38.5nC@8V
输入电容(Ciss@Vds)
1.331nF@10V
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
4.20947
10+
2.98405
100+
1.33768
1000+
1.04769
3000+
0.90738
9000+
0.80448
数量(递增量:1):
库存:
2,742,000
最小包装量:
3000
交付周期:
18-20 工作日
共:
4.21
C000148774 SSM3J358R,LF 由 Toshiba(东芝) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000148774 SSM3J358R,LF 参考价格 ¥4.2095,实时库存 2742000。SOT-23F VGS: 10V, Qg: 38.5 nC, Pd-Power Dissipation: 2W, VDS: 20V, Operating Temperature Range: 150℃, Transistor polarity: MOSFET, Continuous drain current: 6A, Termination type: SMD/SMT, Rds On: 0.0175Ω, Circuit Branch Number: 1Channel, Package: SOT-23F, 类型: 1个P沟道, 漏源电压(Vdss): 20V, 连续漏极电流(Id): 6A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 22.1mΩ@8V,6A, 功率(Pd): 1W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 1V@1mA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 38.5nC@8V, 输入电容(Ciss@Vds): 1.331nF@10V。你可以下载 SSM3J358R,LF 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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