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GT50JR21(STA1,E,S)

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Toshiba(东芝)
型号:
编号:
封装:TO-3PN
海关编码:EAR99
参数描述:IGBT 晶体管 LOW SATURATION/FAST SWITCHING
数据手册:
规格
Category
IGBT管
Gate Threshold Voltage-VGE(th)
25V
Max, gate / emitter voltage
25V
Collector-emitter voltage
600V
Collector Current Ic
100A
Termination type
Through Hole
Package
TO-3PN
Pd-Power Dissipation
230W
Operating Temperature Range
175℃~-55℃
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
43.96553
10+
38.63354
25+
32.74029
100+
29.84043
250+
28.0631
500+
26.09869
数量(递增量:1):
库存:
450
最小包装量:
25
交付周期:
18-20 工作日
共:
43.97
C000166200 GT50JR21(STA1,E,S) 由 Toshiba(东芝) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-IGBT管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000166200 GT50JR21(STA1,E,S) 参考价格 ¥43.9655,实时库存 450。TO-3PN Gate Threshold Voltage-VGE(th): 25V, Max, gate / emitter voltage: 25V, Collector-emitter voltage: 600V, Collector Current Ic: 100A, Termination type: Through Hole, Package: TO-3PN, Pd-Power Dissipation: 230W, Operating Temperature Range: 175℃~-55℃。你可以下载 GT50JR21(STA1,E,S) 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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