SIR120DP-T1-RE3

C000167471 SIR120DP-T1-RE3 由 Vishay(威世) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000167471 SIR120DP-T1-RE3 参考价格 ￥15.3412，实时库存 384000。SO-8 Pd-Power Dissipation: 100W, Termination type: SMD/SMT, Operating Temperature Range: -55℃~150℃, Qg: 62.5 nC, VGS: 20V, VDS: 80V, Rds On: 0.00355Ω, Circuit Branch Number: 1Channel, Continuous drain current: 106A, Transistor polarity: MOSFET, Package: SO-8, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 80V, 连续漏极电流(Id): 24.7A；106A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 3.55mΩ@15A,10V, 功率(Pd): 100W；5.4W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 3.5V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 94nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 4.15nF@40V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 SIR120DP-T1-RE3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。