IXTH2N150

C000176989 IXTH2N150 由 IXYS(艾赛斯) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000176989 IXTH2N150 参考价格 ￥112.7201，实时库存 240。TO-247 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 1.5kV, 连续漏极电流(Id): 2A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 9.2Ω@500mA,10V, 功率(Pd): 170W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 5V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 28nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 830pF@25V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 IXTH2N150 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。