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产商: | Nexperia(安世) |
型号: | |
编号: | |
封装: | SOT-666 |
海关编码: | EAR99 |
参数描述: | 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 2 个 PNP 预偏压式(双) 50V 100mA 300mW 表面贴装型 SOT-666 |
数据手册: | |
规格
Collector-emitter voltage
50V
Qualification level
AEC-Q101
Circuit Branch Number
Dual
Transistor polarity
2个PNP预偏压式(双)
Maximum collector cut-off current
1µA
Operating Temperature Range
-65℃~150℃
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)
100@10mA,5V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)
750mV@5mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc)
600mV@100uA,5V
C000189770 PEMB10,115 由 Nexperia(安世) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-双极晶体管(三极管) 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000189770 PEMB10,115 参考价格 ¥4.3429,实时库存 200000。SOT-666 Collector Current Ic: 0.1A, Pd-Power Dissipation: 0.3W, Termination type: SMD/SMT, Collector-emitter voltage: 50V, Height: 0.6 mm, Qualification level: AEC-Q101, Length: 1.7 mm, Width: 1.3 mm, Package: SOT-666, Circuit Branch Number: Dual, Transistor polarity: 2个PNP预偏压式(双), Maximum collector cut-off current: 1µA, Operating Temperature Range: -65℃~150℃, 晶体管类型: 2个PNP-预偏置, 集射极击穿电压(Vceo): 50V, 集电极电流(Ic): 100mA, 功率(Pd): 300mW, 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 100@10mA,5V, 最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo): 750mV@5mA,0.3V, 最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc): 600mV@100uA,5V, 输入电阻: 2.2kΩ, 电阻比率: 21。你可以下载 PEMB10,115 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。