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IXTH24N65X2

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:IXYS(艾赛斯)
型号:
编号:
封装:TO-247-3
海关编码:EAR99
参数描述:
数据手册:
数据手册
规格
Category
MOSFET
VDS
650V
Pd-Power Dissipation
390W
Termination type
通孔
Package
TO-247-3
Operating Temperature Range
-55℃~150℃
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
24A
功率(Pd)
390W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
145mΩ@10V,12A
阈值电压(Vgs(th)@Id)
5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)
36nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)
2.06nF@25V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
58.15644
10+
49.81062
100+
41.51286
500+
36.62867
1000+
32.96592
2000+
30.89029
数量(递增量:1):
库存:
1,560
最小包装量:
30
交付周期:
14-19 工作日
共:
58.16
C000190521 IXTH24N65X2 由 IXYS(艾赛斯) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000190521 IXTH24N65X2 参考价格 ¥58.1564,实时库存 1560。TO-247-3 VDS: 650V, Pd-Power Dissipation: 390W, Termination type: 通孔, Package: TO-247-3, Operating Temperature Range: -55℃~150℃, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 650V, 连续漏极电流(Id): 24A, 功率(Pd): 390W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 145mΩ@10V,12A, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 5V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 36nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 2.06nF@25V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 IXTH24N65X2 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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