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IPL60R060CFD7AUMA1

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Infineon(英飞凌)
型号:
编号:
封装:VSON-4
海关编码:EAR99
参数描述:HIGH POWER_NEW
数据手册:
数据手册
规格
Category
RFFETMOSFET
Qg
79 nC
Operating Temperature Range
150℃~-40℃
VDS
600V
Transistor polarity
MOSFET
Rds On
0.06Ω
Circuit Branch Number
1Channel
Termination type
SMD/SMT
Package
VSON-4
Pd-Power Dissipation
219W
Continuous drain current
40A
VGS
20V
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
600V
连续漏极电流(Id)
40A
功率(Pd)
219W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
60mΩ@18A,10V
阈值电压(Vgs(th)@Id)
4.5V@900uA
栅极电荷(Qg@Vgs)
79nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)
3.193nF@400V
工作温度
-40℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
3000+
35.08667
数量(递增量:3000):
库存:
165,000
最小包装量:
3000
交付周期:
14-19 工作日
共:
105,260.01
C000190662 IPL60R060CFD7AUMA1 由 Infineon(英飞凌) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000190662 IPL60R060CFD7AUMA1 参考价格 ¥35.0867,实时库存 165000。VSON-4 Qg: 79 nC, Operating Temperature Range: 150℃~-40℃, VDS: 600V, Transistor polarity: MOSFET, Rds On: 0.06Ω, Circuit Branch Number: 1Channel, Termination type: SMD/SMT, Package: VSON-4, Pd-Power Dissipation: 219W, Continuous drain current: 40A, VGS: 20V, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 600V, 连续漏极电流(Id): 40A, 功率(Pd): 219W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 60mΩ@18A,10V, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 4.5V@900uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 79nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 3.193nF@400V, 工作温度: -40℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 IPL60R060CFD7AUMA1 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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