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STP22NM60N

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:ST(意法半导体)
型号:
编号:
封装:TO-220-3
海关编码:EAR99
参数描述:通孔 N 通道 600V 16A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
数据手册:
数据手册
规格
Category
RFFETMOSFET
Continuous drain current
16A
Circuit Branch Number
1Channel
Operating Temperature Range
-55℃~150℃
Transistor polarity
MOSFET
Termination type
Through Hole
Pd-Power Dissipation
125W
Rds On
0.2Ω
VDS
600V
Package
TO-220-3
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
600V
连续漏极电流(Id)
16A
功率(Pd)
125W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
220mΩ@8A,10V
阈值电压(Vgs(th)@Id)
4V@100uA
栅极电荷(Qg@Vgs)
44nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)
1.3nF@50V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
36.2014
10+
28.43728
25+
23.29238
100+
20.95378
500+
19.27
1000+
17.11849
数量(递增量:1):
库存:
13,000
最小包装量:
1000
交付周期:
18-20 工作日
共:
36.21
C000192287 STP22NM60N 由 ST(意法半导体) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000192287 STP22NM60N 参考价格 ¥36.2014,实时库存 13000。TO-220-3 Continuous drain current: 16A, Circuit Branch Number: 1Channel, Operating Temperature Range: -55℃~150℃, Transistor polarity: MOSFET, Termination type: Through Hole, Pd-Power Dissipation: 125W, Rds On: 0.2Ω, VDS: 600V, Package: TO-220-3, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 600V, 连续漏极电流(Id): 16A, 功率(Pd): 125W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 220mΩ@8A,10V, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 4V@100uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 44nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 1.3nF@50V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 STP22NM60N 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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