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IRF7319TRPBF

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Infineon(英飞凌)
型号:
编号:
封装:SO-8
海关编码:EAR99
参数描述:MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 2W 表面贴装型 8-SO
数据手册:
数据手册
规格
Category
RFFETMOSFET
VDS
30V
Operating Temperature Range
-55℃~150℃
Circuit Branch Number
2Channel
Length
4.9 mm
Package
SO-8
Rds On
0.046Ω
Termination type
SMD/SMT
Qg
22 nC
Height
1.75 mm
Width
3.9 mm
Transistor polarity
MOSFET
Continuous drain current
6.5A
Pd-Power Dissipation
2W
VGS
20V
类型
1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)
30V
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
29mΩ@5.8A,10V
功率(Pd)
2W
阈值电压(Vgs(th)@Id)
1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)
33nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)
650pF@25V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
100+
6.65751
500+
5.76131
1000+
4.71147
2000+
4.64746
数量(递增量:1):
库存:
3,403,641
最小包装量:
1
交付周期:
14-16 工作日
共:
665.76
C000193615 IRF7319TRPBF 由 Infineon(英飞凌) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000193615 IRF7319TRPBF 参考价格 ¥6.6575,实时库存 3403641。SO-8 VDS: 30V, Operating Temperature Range: -55℃~150℃, Circuit Branch Number: 2Channel, Length: 4.9 mm, Package: SO-8, Rds On: 0.046Ω, Termination type: SMD/SMT, Qg: 22 nC, Height: 1.75 mm, Width: 3.9 mm, Transistor polarity: MOSFET, Continuous drain current: 6.5A, Pd-Power Dissipation: 2W, VGS: 20V, 类型: 1个N沟道+1个P沟道, 漏源电压(Vdss): 30V, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 29mΩ@5.8A,10V, 功率(Pd): 2W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 1V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 33nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 650pF@25V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 IRF7319TRPBF 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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