SIR416DP-T1-GE3

C000195409 SIR416DP-T1-GE3 由 Vishay(威世) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000195409 SIR416DP-T1-GE3 参考价格 ￥5.0761，实时库存 45000。SO-8 Package: SO-8, Pd-Power Dissipation: 0.2W 69W, Operating Temperature Range: -55℃~150℃, Termination type: 表面贴装型, VDS: 40V, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 40V, 连续漏极电流(Id): 50A, 功率(Pd): 5.2W；69W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 3.8mΩ@15A,10V, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 90nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 3.35nF@20V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 SIR416DP-T1-GE3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。