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TN5325K1-G

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Microchip(微芯)
型号:
编号:
封装:SOT-23-3
海关编码:EAR99
参数描述:表面贴装型 N 通道 250V 150mA(Ta) 360mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
数据手册:
数据手册
规格
Category
RFFETMOSFET
Operating Temperature Range
150℃~-55℃
VDS
250V
Circuit Branch Number
1Channel
Termination type
SMD/SMT
Length
2.9 mm
Width
1.3 mm
Package
SOT-23-3
Transistor polarity
FET
Pd-Power Dissipation
0.36W
Continuous drain current
0.15A
Rds On
VGS
10V
Height
0.95 mm
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
250V
连续漏极电流(Id)
150mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
7Ω@1A,10V
功率(Pd)
360mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)
2V@1mA
输入电容(Ciss@Vds)
110pF@25V
工作温度
-55℃~+150℃@(Ta)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
6.41987
25+
5.28695
100+
4.90931
数量(递增量:1):
库存:
159,000
最小包装量:
3000
交付周期:
14-19 工作日
共:
6.42
C000195587 TN5325K1-G 由 Microchip(微芯) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000195587 TN5325K1-G 参考价格 ¥6.4199,实时库存 159000。SOT-23-3 Operating Temperature Range: 150℃~-55℃, VDS: 250V, Circuit Branch Number: 1Channel, Termination type: SMD/SMT, Length: 2.9 mm, Width: 1.3 mm, Package: SOT-23-3, Transistor polarity: FET, Pd-Power Dissipation: 0.36W, Continuous drain current: 0.15A, Rds On: 7Ω, VGS: 10V, Height: 0.95 mm, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 250V, 连续漏极电流(Id): 150mA, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 7Ω@1A,10V, 功率(Pd): 360mW, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 2V@1mA, 输入电容(Ciss@Vds): 110pF@25V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Ta)。你可以下载 TN5325K1-G 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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