STGB19NC60KDT4

C000197178 STGB19NC60KDT4 由 ST(意法半导体) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-IGBT管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000197178 STGB19NC60KDT4 参考价格 ￥56.781，实时库存 5000。D2PAK Collector-emitter saturation voltage: 2.75V 15V 12A, Height: 4.6 mm, Collector Current Ic: 35A, Package: D2PAK, Termination type: SMD/SMT, Pd-Power Dissipation: 125W, Collector-emitter voltage: 600V, Gate Threshold Voltage-VGE(th): 20V, Max, gate / emitter voltage: 20V, Length: 10.4 mm, Width: 9.35 mm, Operating Temperature Range: 150℃~-55℃, 集射极击穿电压(Vces): 600V, 集电极电流(Ic): 35A, 功率(Pd): 125W, 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic): 2.75V@15V,12A, 栅极电荷(Qg@Ic,Vge): 55nC, 开启延迟时间(Td(on)): 30ns, 关断延迟时间(Td(off)): 105ns, 导通损耗(Eon): 0.165mJ, 关断损耗(Eoff): 0.255mJ, 反向恢复时间(Trr): 31ns, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 STGB19NC60KDT4 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。