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产商: | ON(安森美) |
型号: | |
编号: | |
封装: | TO-247-3 |
海关编码: | EAR99 |
参数描述: | IGBT 晶体管 600V 40A Field Stop |
数据手册: | |
规格
Collector-emitter voltage
600 V
Gate Threshold Voltage-VGE(th)
20 V
Max, gate / emitter voltage
20 V
Operating Temperature Range
- 55 C~+ 150 C
Termination type
Through Hole
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)
2.4V@15V,40A
C000198924 FGH40N60UFDTU 由 ON(安森美) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-IGBT管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000198924 FGH40N60UFDTU 参考价格 ¥44.6203,实时库存 210。TO-247-3 Package: TO-247-3, Collector-emitter voltage: 600 V, Collector Current Ic: 80 A, Gate Threshold Voltage-VGE(th): 20 V, Max, gate / emitter voltage: 20 V, Pd-Power Dissipation: 290W, Operating Temperature Range: - 55 C~+ 150 C, Termination type: Through Hole, Length: 15.87 mm, Width: 4.82 mm, Height: 20.82 mm, IGBT类型: FS(场截止), 集射极击穿电压(Vces): 600V, 集电极电流(Ic): 80A, 功率(Pd): 290W, 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic): 2.4V@15V,40A, 栅极电荷(Qg@Ic,Vge): 120nC, 开启延迟时间(Td(on)): 24ns, 关断延迟时间(Td(off)): 112ns, 导通损耗(Eon): 1.19mJ, 关断损耗(Eoff): 0.46mJ, 反向恢复时间(Trr): 45ns, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 FGH40N60UFDTU 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。