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PMH260UNEH

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Nexperia(安世)
型号:
编号:
封装:DFN0606-3
海关编码:EAR99
参数描述:MOSFET PMH260UNEH
数据手册:
数据手册
规格
Category
MOSFET
Operating Temperature Range
-55℃~150℃
Pd-Power Dissipation
0.66W
Termination type
SMD/SMT
Package
DFN0606-3
Rds On
0.31Ω
Continuous drain current
1.2A
VGS
8V
Qg
0.63 nC
Circuit Branch Number
1Channel
Transistor polarity
MOSFET
VDS
20V
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
1.2A
功率(Pd)
360mW;2.23W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
310mΩ@700mA,4.5V
阈值电压(Vgs(th)@Id)
950mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)
950pC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)
41pF@10V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
10000+
0.48054
30000+
0.47153
50000+
0.39046
数量(递增量:10000):
库存:
340,000
最小包装量:
10000
交付周期:
14-19 工作日
共:
4,805.40
C000201506 PMH260UNEH 由 Nexperia(安世) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000201506 PMH260UNEH 参考价格 ¥0.4805,实时库存 340000。DFN0606-3 Operating Temperature Range: -55℃~150℃, Pd-Power Dissipation: 0.66W, Termination type: SMD/SMT, Package: DFN0606-3, Rds On: 0.31Ω, Continuous drain current: 1.2A, VGS: 8V, Qg: 0.63 nC, Circuit Branch Number: 1Channel, Transistor polarity: MOSFET, VDS: 20V, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 20V, 连续漏极电流(Id): 1.2A, 功率(Pd): 360mW;2.23W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 310mΩ@700mA,4.5V, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 950mV@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 950pC@4.5V, 输入电容(Ciss@Vds): 41pF@10V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 PMH260UNEH 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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