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2SK208-GR(TE85L,F)

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Toshiba(东芝)
型号:
编号:
封装:SC-59
海关编码:EAR99
参数描述:JFET N-CH 50V SC59
数据手册:
数据手册
规格
Category
结型场效应晶体管(JFET)
Operating Temperature Range
125℃
Termination type
表面贴装型
Transistor polarity
JFET
Pd-Power Dissipation
0.1W
Package
SC-59
VGS
400mV 0.0000001A
Continuous drain current
0.0065A
FET类型
N沟道
栅源截止电压(VGS(off)@ID)
400mV@100nA
栅源击穿电压(V(BR)GSS)
50V
功率(Pd)
100mW
饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0)
2.6mA@10V
输入电容(Ciss@Vds)
8.2pF@10V
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
4.43727
10+
3.47429
100+
2.085511
500+
1.93082
1000+
1.31299
数量(递增量:1):
库存:
222,000
最小包装量:
3000
交付周期:
14-19 工作日
共:
4.44
C000201680 2SK208-GR(TE85L,F) 由 Toshiba(东芝) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-结型场效应晶体管(JFET) 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000201680 2SK208-GR(TE85L,F) 参考价格 ¥4.4373,实时库存 222000。SC-59 Operating Temperature Range: 125℃, Termination type: 表面贴装型, Transistor polarity: JFET, Pd-Power Dissipation: 0.1W, Package: SC-59, VGS: 400mV 0.0000001A, Continuous drain current: 0.0065A, FET类型: N沟道, 栅源截止电压(VGS(off)@ID): 400mV@100nA, 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 50V, 功率(Pd): 100mW, 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0): 2.6mA@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 8.2pF@10V。你可以下载 2SK208-GR(TE85L,F) 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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