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NTHD3100CT1G

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:ON(安森美)
型号:
编号:
封装:ChipFET-8
海关编码:EAR99
参数描述:MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 20V 2.9A,3.2A 1.1W 表面贴装型 ChipFET™
数据手册:
数据手册
规格
Category
RFFETMOSFET
Rds On
0.08Ω 0.11Ω
Package
ChipFET-8
Length
3.05 mm
Width
1.65 mm
VDS
20V
Circuit Branch Number
2Channel
Operating Temperature Range
150℃~-55℃
Transistor polarity
MOSFET
VGS
2.5V 4.5V
Termination type
SMD/SMT
Continuous drain current
3.9A 3.2A
Pd-Power Dissipation
0.1W
Qg
2.3 nC, 7.4 nC
Height
1.05 mm
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
9.16728
10+
7.37125
100+
5.87455
500+
4.97653
1000+
4.05045
3000+
3.8353
数量(递增量:1):
库存:
279,000
最小包装量:
3000
交付周期:
18-20 工作日
共:
9.17
C000202673 NTHD3100CT1G 由 ON(安森美) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000202673 NTHD3100CT1G 参考价格 ¥9.1673,实时库存 279000。ChipFET-8 Rds On: 0.08Ω 0.11Ω, Package: ChipFET-8, Length: 3.05 mm, Width: 1.65 mm, VDS: 20V, Circuit Branch Number: 2Channel, Operating Temperature Range: 150℃~-55℃, Transistor polarity: MOSFET, VGS: 2.5V 4.5V, Termination type: SMD/SMT, Continuous drain current: 3.9A 3.2A, Pd-Power Dissipation: 0.1W, Qg: 2.3 nC, 7.4 nC, Height: 1.05 mm。你可以下载 NTHD3100CT1G 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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