60N06

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产商:	Goford
型号:	60N06
编号:	C000226489
封装:	TO-252-2(DPAK)
海关编码:	EAR99
参数描述:	N沟道,60V,60A,14mΩ@10V
数据手册:

规格

Category

MOSFET

Package

TO-252-2(DPAK)

VDS

60V

VGS

0.00025A 2.5V

Continuous drain current

60A

Transistor polarity

N沟道

Rds On

10V 0.02Ω 20A

Pd-Power Dissipation

85W

类型

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

50A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

14mΩ

功率(Pd)

85W

阈值电压(Vgs(th)@Id)

2V@250uA

栅极电荷(Qg@Vgs)

50nC@10V

输入电容(Ciss@Vds)

2.05nF@30V

工作温度

-55℃~+150℃@(Tj)

店铺:

1001

入驻

合作库存

数量[pcs]

单价[CNY/pcs]

2500+

2.58172

5000+

2.44574

12500+

2.26463

25000+

2.24219

数量(递增量:2500):

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C000226489 60N06 由 Goford 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000226489 60N06 参考价格 ￥2.5817，实时库存 10000。TO-252-2(DPAK) Package: TO-252-2(DPAK), VDS: 60V, VGS: 0.00025A 2.5V, Continuous drain current: 60A, Transistor polarity: N沟道, Rds On: 10V 0.02Ω 20A, Pd-Power Dissipation: 85W, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 60V, 连续漏极电流(Id): 50A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 14mΩ, 功率(Pd): 85W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 2V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 50nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 2.05nF@30V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 60N06 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。