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FCHD040N65S3-F155

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:ON(安森美)
型号:
编号:
封装:TO-247-3
海关编码:EAR99
参数描述:FET 650V 65A TO247AD
数据手册:
数据手册
规格
Category
RFFETMOSFET
Pd-Power Dissipation
417W
Package
TO-247-3
Termination type
通孔
Operating Temperature Range
-55℃~150℃
VDS
650V
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
65A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
40mΩ@32.5A,10V
功率(Pd)
417W
阈值电压(Vgs(th)@Id)
4.5V@1.7mA
栅极电荷(Qg@Vgs)
136nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)
4.74nF@400V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
114.31036
10+
102.14968
30+
86.71498
120+
82.13134
270+
77.07998
510+
74.5543
数量(递增量:1):
库存:
540
最小包装量:
30
交付周期:
18-20 工作日
共:
114.32
C000244314 FCHD040N65S3-F155 由 ON(安森美) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000244314 FCHD040N65S3-F155 参考价格 ¥114.3104,实时库存 540。TO-247-3 Pd-Power Dissipation: 417W, Package: TO-247-3, Termination type: 通孔, Operating Temperature Range: -55℃~150℃, VDS: 650V, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 650V, 连续漏极电流(Id): 65A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 40mΩ@32.5A,10V, 功率(Pd): 417W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 4.5V@1.7mA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 136nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 4.74nF@400V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 FCHD040N65S3-F155 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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