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NTHL110N65S3F

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:ON(安森美)
型号:
编号:
封装:TO-247-3
海关编码:EAR99
参数描述:N-Channel 650V 30A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-247-3
数据手册:
规格
Category
RFFETMOSFET
Rds On
0.11Ω
Circuit Branch Number
1Channel
Package
TO-247-3
Pd-Power Dissipation
240W
Qg
58 nC
Termination type
Through Hole
Transistor polarity
MOSFET
Operating Temperature Range
-55℃~150℃
Continuous drain current
30A
VGS
30V
VDS
650V
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
30A
功率(Pd)
240W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
98mΩ@10V,15A
阈值电压(Vgs(th)@Id)
5V@3mA
栅极电荷(Qg@Vgs)
58nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)
2.56nF@400V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
68.38042
10+
58.55834
25+
53.1328
100+
48.8298
250+
45.92994
450+
43.12363
数量(递增量:1):
库存:
91,350
最小包装量:
450
交付周期:
18-20 工作日
共:
68.39
C000261626 NTHL110N65S3F 由 ON(安森美) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000261626 NTHL110N65S3F 参考价格 ¥68.3804,实时库存 91350。TO-247-3 Rds On: 0.11Ω, Circuit Branch Number: 1Channel, Package: TO-247-3, Pd-Power Dissipation: 240W, Qg: 58 nC, Termination type: Through Hole, Transistor polarity: MOSFET, Operating Temperature Range: -55℃~150℃, Continuous drain current: 30A, VGS: 30V, VDS: 650V, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 650V, 连续漏极电流(Id): 30A, 功率(Pd): 240W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 98mΩ@10V,15A, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 5V@3mA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 58nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 2.56nF@400V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 NTHL110N65S3F 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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