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BUK9Y19-100E,115

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Nexperia(安世)
型号:
编号:
封装:SOT-669
海关编码:EAR99
参数描述:MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK
数据手册:
数据手册
规格
Category
RFFETMOSFET
Package
LFPAK56-5
Operating Temperature Range
-55℃~175℃
Qualification level
AEC-Q101
Transistor type
N沟道
VDS
100V
Continuous drain current
56A
Rds On
0.018Ω
VGS(th)
1.7V
Pd-Power Dissipation
167W
Termination type
贴片
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
56A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
18mΩ@10V,15A
功率(Pd)
167W
阈值电压(Vgs(th)@Id)
2.1V@1mA
栅极电荷(Qg@Vgs)
39nC@5V
输入电容(Ciss@Vds)
5.085nF@25V
工作温度
-55℃~+175℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
100+
7.45129
500+
6.31183
1000+
5.7357
数量(递增量:1):
库存:
156,467
最小包装量:
1
交付周期:
14-16 工作日
共:
745.13
C000284081 BUK9Y19-100E,115 由 Nexperia(安世) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000284081 BUK9Y19-100E,115 参考价格 ¥7.4513,实时库存 156467。SOT-669 Package: LFPAK56-5, Operating Temperature Range: -55℃~175℃, Qualification level: AEC-Q101, Transistor type: N沟道, VDS: 100V, Continuous drain current: 56A, Rds On: 0.018Ω, VGS(th): 1.7V, Pd-Power Dissipation: 167W, Termination type: 贴片, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 100V, 连续漏极电流(Id): 56A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 18mΩ@10V,15A, 功率(Pd): 167W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 2.1V@1mA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 39nC@5V, 输入电容(Ciss@Vds): 5.085nF@25V, 工作温度: -55℃~+175℃@(Tj)。你可以下载 BUK9Y19-100E,115 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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